Научная сессия и заседание Учёного совета

Повестка дня:

1. Баталов Рафаэль Ильясови. “Импульсный ионный отжиг слоёв кремния с имплантированной примесью серы для фотоэлектроники”.
Р.И. Баталов, Г.А. Новиков, И.В. Лунёв, А.Е. Климовицкий, В.Ф. Валеев, Е.О. Мусина (КФТИ), С.Г. Симакин (ЯрГУ), И.А. Воронов, И.М. Подлесных (ФИАН)

Проведены исследования структуры, оптических и фотоэлектрических свойств слоёв кремния, имплантированных ионами серы (S+) и подвергнутых импульсному отжигу мощным ионным пучком (C+/H+). В результате отжига легированный слой Si:S расширяется до 550 нм за счёт быстрой диффузии серы в расплаве Si. Максимальная концентрация примеси серы составила ~ 3×1020 см-3, что на 4 порядка величины превышает её максимальную равновесную растворимость в Si. Отжиг приводил к эффективному устранению аморфизации приповерхностного слоя без нарушения поверхности. В ИК-спектрах наблюдалась широкая полоса поглощения с максимумом при 2 мкм (0.6 эВ). Холловские измерения показали, что степень электрической активации серы в Si составляет около 3 % от общего числа примесных атомов. Для указанной концентрации серы энергия ионизации её примесной зоны составила 23 мэВ. Сформированная диодная структура n-Si:S/p-Si демонстрирует фотоотклик при 300 К в области 500-1200 нм и на длинах волн лазеров 1310 нм и 1550 нм.

По материалам статьи в Журнал технической физики

Рецензент – Степанов А.Л.

2. Разное.