Н. С. Барышев.
Свойства и применение узкозонных полупроводников

Казань, издательство “Унипресс”, 2000 г., 424 страницы

Монография посвящена методам получения и основным физическим свойствам (электрическим, гальваномагнитным, оптическим и фотоэлектрическим) соединений АIIIВV, АIVВVI и АIIВVIс узкой запрещенной зоной антимонида и арсенида индия, халькогенидов свинца и халькогенидов свинца-олова, твердых растворов на осно- ве теллурида ртути, широко применяемых для изготовления при- емников и источников инфракрасного излучения и других прибо- ров. Представлены результаты исследований энергетического спектра, механизмов рассеяния и рекомбинации носителей заряда. Рассмотрены поведение и свойства дефектов структуры и примесей.
Достаточно места отведено приемникам излучения и лазерам на основе этих материалов. Книга предназначена для специалистов в области физики и техники полупроводников и оптоэлектроники, а также студентов старших курсов соответствующих специальностей.

ISBN 5-900044-78-5

Ответственный редактор Мейкляр М.П.
Технический редактор Ахмин С.М.
Макет Мусиной А.Н.

Издательство Унипресс., 420008, Казань, Кремлевская, 18
Лицензия № 0192 от 23 июня 1997 г.
Формат 60x90/16
Гарнитура Times. Печать ризографическая
Тираж 250 экз.

Отпечатано в ООО ДАС, 420008, Казань, Университетская, 17
Лицензия № 0118 от 3 апреля 1998 г.