Анонсы Доп. раздел |
События29 ноября 2017 / Научная сессия ОФН РАН «Топологические состояния: что это и для чего?»Конференц-зал ФИАН Научная сессия ОФН РАН
«Топологические состояния: что это и для чего?»
29 ноября 2017 года 1. Тарасенко С.А. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН) Электронные свойства топологических изоляторов. 2. Девятов Э.В. (Институт физики твердого тела РАН) Перенос заряда между сверхпроводником и краевым токонесущим состоянием в двумерной системе с инверсией зон. 3. Волков В.А. (Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН)
Поверхностные состояния дираковских и вейлевских фермионов. Примечание: Информацию о сессии можно прочитать на Web site ОФН РАН по адресу: www.gpad.ac.ru |